出生年月

1983.10

参加工作

2016.9

政治面貌

民革

学历

及

专业

毕业学校，专业，学位（本科）吉林大学，化学，学士

毕业学校，专业，学位（硕士）吉林大学，物理化学，硕士

毕业学校，专业，学位（博士）中国科学院大学大连化学物理研究所，物理化学，博士

本人及

研究方向简介

杨竞秀，师从李灿院士/研究员，博士期间主要从事光催化反应机理的研究。毕业后，加入吉林建筑大学材料科学与工程学院。2016年10-2019年10月，在北京计算科学研究中心开展博士后研究，合作导师魏苏淮教授。博士后的主要研究方向为半导体光电材料的理论研究与设计，参与发表SCI论文36篇，文章总引用次数2808次（google scholar），H因子21，i10因子26.

近

五

年

科

研

情

况

题目及本人责任

来源

经费

用于光催化制氢的窄带隙半导体合金的理论研究与设计，主持（已结题）

国家自然科学基委金

5万

三元硫族六配位半导体的能带调控与光伏性质优化，主持

国家自然科学基委金

24万

硅基异价合金的高通量计算筛选和性质调控，主持

吉林省科技厅

10万

近

五

年

论

文

著

作

专

利

发

明

成

果

近五年的主要代表性论文包括第一作者论文4篇，共同一作1篇，通讯作者文章3篇, 如下：

1、J. Yang, P. Zhang, and S. H. Wei, J. Phys. Chem. Lett.9, 31 (2018).（中科院双一区）

2、J. Yang, S. H. Wei, Chin. Phys. B28, 86106 (2019).

3、J.-L. Li,J. Yang*, T. Wu, and S.-H. Wei, J. Mater. Chem. C7, 4230 (2019).（中科院双一区）

4、B.-B. Yu#, M. Liao#,J. Yang#,et al., J. Mater. Chem. A7, 8818 (2019).（中科院双一区）

5、J. Yang,J. Wang, C. Yang, W. Zhang, and S.-H. Wei, Phys. Rev. Mater.4, 085402 (2020).

6、Y. Yang,P. Zhang,J. Yang*, and S.-H. Wei, Phys. Rev. B101, 174101 (2020).

7、J. Yang,P. Zhang, J. Wang, and S.-H. Wei, Chin. Phys. B29, 108401 (2020).

8、T. Gan,J.Yang*, G. Liu*, et al. Nat. Commun.12, 1-10 (2021). （中科院双一区）